FQP27P06 MOSFET TO-220
Ce MOSFET de puissance utilise un canal P en mode d’amélioration et est fabriqué en utilisant la technologie exclusive bande planaire DMOS d’ON Semiconductor. Cette technologie avancée a été spécialement conçue pour réduire la résistance en mode passant et offrir des performances de commutation supérieures ainsi qu’une résistance élevée à l’énergie d’avalanche. Ces dispositifs sont adaptés pour les alimentations à découpage, les amplificateurs audio, les commandes de moteur à courant continu et les applications de puissance de commutation variable.

51 avr mcu Carte de Développement du Système Maroc
BD139 Transistor simple bipolaire NPN Maroc
IRFB4227 Transistor MOSFET– 200V 65A Maroc
IRFB4620 MOSFET 200V 25A TO-220 Maroc
Transistor MJ2955 TO-3 Maroc
IRFP260N Transistor Mosfet Maroc 



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