FQP30N06 Transistors MOSFET Maroc

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Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 30 A
Tension Drain Source maximum 60 V
Résistance Drain Source maximum 40 mΩ
Tension de seuil minimale de la grille 2V
Tension Grille Source maximum -25 V, +25 V
Type de boîtier TO-220AB
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Configuration du transistor Simple
Mode canal Enrichissement
Catégorie MOSFET de puissance
Dissipation de puissance maximum 79 W
Série QFET
Largeur 4.7mm
Capacitance d’entrée typique @ Vds 725 pF @ 25 V
Retard à la conduction typique 10 ns
Hauteur 9.4mm
Dimensions 10.1 x 4.7 x 9.4mm
Température d’utilisation maximum +175 °C
Matériau du transistor Si
Charge de Grille type @ Vgs 19 nC @ 10 V
Retard au blocage typique 35 ns
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Nombre d’éléments par circuit 1
Longueur 10.1mm
Catégorie :

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