IRFZ34N MOSFET N-Channel Maroc

MOSFET N-Channel IRFZ34N

Le IRFZ34N est un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) à canal N, conçu pour des applications de puissance nécessitant une commutation efficace et une gestion de courant élevée. Ce MOSFET est souvent utilisé dans des applications telles que les alimentations à découpage, les contrôleurs de moteur, et divers circuits de puissance, grâce à sa robustesse et ses caractéristiques optimisées pour une faible résistance à l’état passant (Rds(on)).

Description détaillée :

Le IRFZ34N est un composant électronique fabriqué à partir de la technologie de semiconducteur avancée, offrant une combinaison idéale de capacité de gestion de courant élevé et de faible résistance à l’état passant. Ce MOSFET est capable de supporter une tension Drain-Source (Vds) maximale de 55V, ce qui le rend adapté pour des applications industrielles et de consommation où des tensions modérées sont présentes.

Avec une résistance à l’état passant (Rds(on)) typique de 0,040Ω à une tension de grille (Vgs) de 10V, ce transistor assure une dissipation thermique minimale lors de la commutation, même à des courants élevés atteignant jusqu’à 29A. Cela permet de réduire les pertes de puissance et d’améliorer l’efficacité des systèmes dans lesquels il est utilisé.

Le IRFZ34N est encapsulé dans un boîtier TO-220AB, largement utilisé pour sa capacité à dissiper la chaleur efficacement et pour sa compatibilité avec les méthodes de montage standards. Le boîtier TO-220AB facilite également le montage sur des dissipateurs thermiques, ce qui est essentiel pour maintenir les performances du MOSFET dans des conditions de fonctionnement à haute puissance.

Spécifications techniques :

• Type de transistor: MOSFET N-Channel
• Tension Drain-Source maximale (Vds): 55V
• Courant Drain maximal (Id): 29A (à 25°C)
• Résistance Drain-Source à l’état passant (Rds(on)): 0,040Ω typique à Vgs = 10V
• Tension de seuil de la grille (Vgs(th)): 2,0V – 4,0V
• Tension de la grille (Vgs): ±20V (maximale)
• Capacité d’entrée (Ciss): 890pF typique
• Puissance dissipée (Pd): 94W (à Ta = 25°C)
• Température de fonctionnement: -55°C à +175°C
• Temps de montée (tr): 60ns typique
• Temps de descente (tf): 45ns typique
• Charge de grille totale (Qg): 67nC typique
• Boîtier: TO-220AB
• Conformité RoHS: Oui

Applications principales :

• Alimentations à découpage (SMPS): Utilisé pour assurer une commutation efficace et réduire les pertes d’énergie dans les SMPS.
• Contrôle de moteur: Convient pour les contrôleurs de moteur, offrant une commutation rapide et fiable.
• Convertisseurs DC-DC: Idéal pour les convertisseurs de puissance où l’efficacité et la gestion thermique sont cruciales.
• Applications industrielles et de consommation: Utilisé dans diverses applications où une gestion fiable de la puissance est nécessaire.

Le IRFZ34N est un MOSFET robuste et polyvalent, idéal pour les ingénieurs cherchant à optimiser les performances de leurs circuits de puissance. Son faible Rds(on) et sa capacité à gérer des courants élevés en font un choix fiable pour une large gamme d’applications.