IR2213PBF Transistor MOSFET Maroc
L’IR2213PBF est un transistor MOSFET de canal N fabriqué par Infineon Technologies, largement utilisé dans les applications de gestion de puissance en raison de sa faible résistance à l’état passant (Rds(on)) et de son efficacité élevée. Voici une description détaillée de ce composant :
Caractéristiques Principales :
- Type de Transistor : MOSFET canal N
- Tension Drain-Source (Vds) : 30V
- Courant de Drain Continu (Id) : 120A
- Tension Gate-Source (Vgs) : ±20V
- Résistance à l’État Passant (Rds(on)) : Extrêmement faible, ce qui signifie des pertes de puissance réduites et une meilleure efficacité énergétique.
- Récupération Rapide : Le MOSFET dispose d’une diode de récupération rapide, ce qui est essentiel pour les applications de commutation rapide.
Applications Courantes :
- Convertisseurs DC-DC : Utilisé pour réguler et convertir des tensions continues (DC) avec une efficacité élevée.
- Contrôle de Moteurs : Capable de gérer des courants élevés, ce qui le rend idéal pour les applications de contrôle de moteurs électriques.
- Gestion de Puissance : Particulièrement adapté aux systèmes nécessitant une faible dissipation thermique et une efficacité énergétique maximale.
- Informatique et Serveurs : Utilisé dans les alimentations de serveurs et autres systèmes informatiques à haute performance.
Avantages :
- Faible Rds(on) : Minimise les pertes de conduction, ce qui est crucial pour les systèmes à haut rendement énergétique.
- Haute Capacité en Courant : Permet de contrôler des charges lourdes, idéal pour les systèmes à forte demande de puissance.
- Taille Compacte : Disponible en boîtier compact, facilitant l’intégration dans des circuits où l’espace est limité.
L’IR2213PBF est donc un choix solide pour des applications nécessitant un MOSFET puissant, fiable et efficace, particulièrement dans les domaines de la gestion de l’énergie et des contrôles industriels.
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