FQPF8N60C MOSFET Maroc

Désignation de type: FQPF8N60C

Type de transistor: MOSFET

Type de canal de contrôle: N -Channel

Dissipation de puissance maximale (Pd): 48 W

Tension maximale de drain-source | Vds |: 600 V

Tension maximum grille-source | Vgs |: 30 V

Tension maximale de seuil de porte | Vgs (th) |: 4 V

Courant de vidange maximal | Id |: 7,5 A

Température de jonction maximale (Tj): 150 ° C

Charge totale de la porte (Qg): 28 nC

Résistance maximale à l’état passant de la source de drainage (Rds): 1,2 Ohm

Paquet: TO220F