FQP27P06 MOSFET TO-220
Ce MOSFET de puissance utilise un canal P en mode d’amélioration et est fabriqué en utilisant la technologie exclusive bande planaire DMOS d’ON Semiconductor. Cette technologie avancée a été spécialement conçue pour réduire la résistance en mode passant et offrir des performances de commutation supérieures ainsi qu’une résistance élevée à l’énergie d’avalanche. Ces dispositifs sont adaptés pour les alimentations à découpage, les amplificateurs audio, les commandes de moteur à courant continu et les applications de puissance de commutation variable.

CARTE SHIELD CNC Maroc
MJE 13009 Transistor NPN Maroc
Transistor 2SC3281 TO-3P Maroc
ULN2004AN ULN2004A ULN2004 DIP-16 Maroc
Kit Tournevis 27 pièces rotatif réversible à cliquet Multifonction Maroc
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