MOSFET N-Channel SKD502T – Performance, robustesse et efficacité pour vos applications de puissance

Introduction

Dans un contexte où l’efficacité énergétique et la robustesse électronique sont essentielles, le MOSFET N-Channel SKD502T se distingue comme une solution de choix pour les systèmes de puissance modernes. Ce composant de commutation à haute intensité est parfaitement adapté aux environnements industriels, aux dispositifs de conversion d’énergie, aux systèmes motorisés, et à l’électronique embarquée nécessitant une forte densité de courant.

Conçu pour garantir des performances stables et durables, le SKD502T offre une faible résistance à l’état passant, une grande capacité de courant et une dissipation thermique optimisée. Il s’agit d’un composant fiable, efficace et polyvalent pour toute application impliquant la commutation de puissances élevées.

Caractéristiques techniques

• Type : Transistor MOSFET canal N

• Tension Drain-Source (V_DS) : 85 V

• Courant drain continu (I_D) : 120 A

• Courant crête (I_D,pulse) : 480 A

• Résistance à l’état passant (R_DS(on)) : 4.6 mΩ typique, 5.5 mΩ max

• Tension de seuil de grille (V_GS(th)) : 4 V

• Tension grille-source (V_GS) : ±20 V

• Charge totale de grille (Q_g) : 55 nC

• Dissipation de puissance maximale (P_D) : 174 W

• Température de fonctionnement : de -55 °C à +150 °C

• Boîtier : TO-220

Performance détaillée

Faible résistance à l’état passant

Avec une R_DS(on) très basse, le SKD502T assure une efficacité énergétique accrue en limitant les pertes de conduction. Cela se traduit par une réduction de la consommation énergétique et une meilleure gestion thermique.

Forte capacité de courant

Capable de supporter jusqu’à 120 A en continu et 480 A en impulsion, ce MOSFET peut répondre aux exigences des circuits de puissance les plus gourmands : moteurs industriels, onduleurs, alimentations à découpage et systèmes de gestion de batterie.

Excellente commutation

Avec une charge de grille optimisée, ce composant garantit des temps de commutation courts, minimisant ainsi les pertes de commutation dans les applications à haute fréquence.

Résistance thermique robuste

Le SKD502T est conçu pour opérer dans des conditions extrêmes, avec une température de jonction allant jusqu’à +150 °C. Cette caractéristique lui permet de maintenir sa performance même dans les environnements à haute température.

Applications courantes

• Contrôle de moteurs (DC ou brushless)

• Conversion d’énergie (DC-DC, AC-DC, onduleurs)

• Systèmes de gestion de batterie (BMS)

• Véhicules électriques et scooters

• Alimentation de secours (UPS)

• Systèmes solaires autonomes

• Audio haute puissance

• Cartes de commande CNC ou servo-drivers

Avantages pour les concepteurs

Dimensions – Boîtier TO-220

• Longueur : ~15.8 mm

• Largeur : ~10 mm

• Hauteur (hors broches) : ~4.5 mm

• Pas entre broches : 2.54 mm

• Dos métallique pour dissipation thermique

Recommandations d’utilisation

• Ajouter une résistance série sur la grille pour limiter les oscillations.

• Utiliser des drivers compatibles haute vitesse (IR2110, TC4420, etc.)

• Prévoir une diode de roue libre sur les charges inductives.

• Bien dimensionner le dissipateur selon la puissance à dissiper.

Documentation technique

Pour les ingénieurs et les intégrateurs système, une fiche technique PDF est disponible en ligne avec :

• Courbes caractéristiques I_D/V_DS

• Capacitances parasites (C_iss, C_rss, C_oss)

• Graphiques de dissipation thermique

• Temps de commutation typiques

• Recommandations de montage

Lien vers la fiche technique :
Consulter le datasheet du SKD502T

Résumé des avantages

• Faible R_DS(on) pour un rendement maximal

• Courant élevé : jusqu’à 120 A en continu

• Résistance thermique adaptée à l’industriel

• Parfait pour les systèmes à haute fréquence

• Format TO-220 facile à intégrer