MOSFET SKD503T 100V 120A N-Channel Maroc

MOSFET SKD503T – Puissance, Efficacité et Fiabilité dans un Format Compact

Le SKD503T est un transistor MOSFET canal N de puissance, spécialement conçu pour les applications à haute intensité nécessitant des performances élevées en commutation, une dissipation thermique efficace et une très faible résistance à l’état passant (R_DS(on)). Il est l’allié incontournable des ingénieurs en électronique de puissance, concepteurs de systèmes embarqués, spécialistes de l’automatisation industrielle, ou encore développeurs de blocs d’alimentation.

Ce composant allie robustesse, efficacité énergétique et rapidité de commutation, en répondant aux normes modernes de fiabilité et de compacité. Grâce à ses caractéristiques techniques avancées, il est idéal pour une large gamme d’applications telles que :

• les onduleurs,

• les convertisseurs DC/DC ou AC/DC,

• les alimentations à découpage (SMPS),

• les moteurs brushless (BLDC),

• ou encore les dispositifs de gestion d’énergie dans le secteur automobile.

Caractéristiques techniques principales du SKD503T

➤ Performances électriques

• Tension drain-source (V_DS) : 100 V

• Courant drain continu (I_D) : jusqu’à 120 A à une température de 25°C

• Courant pulsé (I_D,pulse) : jusqu’à 480 A

• Tension grille-source maximale (V_GS) : ±20 V

• Seuil de tension de grille (V_GS(th)) : de 2 à 4 V

➤ Résistance à l’état passant

• R_DS(on) typique : 3.6 mΩ à V_GS = 10 V, I_D = 50 A

• R_DS(on) max : 4.5 mΩ

Cette très faible résistance interne permet une excellente efficacité énergétique en réduisant les pertes thermiques et en augmentant la durée de vie du composant.

➤ Rapidité de commutation

• Charge totale de grille (Q_G) : environ 90 nC

• Temps de mise en marche (t_d(on)) : 28 ns

• Temps de montée (t_r) : 32 ns

• Temps de coupure (t_d(off)) : 48 ns

• Temps de descente (t_f) : 27 ns

Ces temps de commutation très courts permettent une fréquence de fonctionnement élevée, essentielle pour les convertisseurs modernes et les systèmes de commande numérique.

Applications typiques du SKD503T

Grâce à ses spécifications techniques avancées, le MOSFET SKD503T peut être utilisé dans de nombreux domaines industriels et technologiques, notamment :

Alimentations à découpage (SMPS)

• Conversion DC-DC ou AC-DC à haute efficacité

• Régulation de tension pour équipements sensibles

Automobile

• Commande de moteurs BLDC

• Gestion des systèmes de traction et recharge pour véhicules électriques

• Modules de puissance dans les systèmes de freinage régénératif

Énergie renouvelable

• Onduleurs solaires

• Contrôle de convertisseurs pour batteries lithium-ion

Systèmes industriels

• Variateurs de fréquence

• Actionneurs à haute puissance

• Systèmes embarqués de contrôle moteur

Construction et boîtier

• Boîtier : TO-263 (aussi appelé D2PAK), idéal pour les montages en surface avec dissipation thermique efficace

• Température de fonctionnement : de –55°C à +150°C

• Puissance dissipée (P_D) : 227 W (à T_C = 25°C)

Le boîtier TO-263 est largement utilisé pour ses excellentes propriétés thermiques, permettant l’utilisation de dissipateurs pour améliorer la gestion de la chaleur.

Avantages clés du SKD503T

• Très faible résistance à l’état passant ⇒ réduction des pertes de conduction

• Capacité à gérer des courants très élevés sans saturation

• Excellente vitesse de commutation ⇒ optimisation de la fréquence de découpage

• Fiabilité thermique renforcée grâce à un boîtier optimisé

• Polyvalent dans les systèmes embarqués, motorisés, ou de gestion de l’énergie

Comparaison avec d’autres MOSFETs de sa catégorie

Le SKD503T se distingue de ses concurrents grâce à :

• un rapport performance/prix très compétitif,

• une robustesse mécanique et thermique,

• et une qualité de fabrication adaptée aux exigences industrielles.

Il constitue ainsi une alternative efficace à d’autres modèles de MOSFET N-Channel dans les gammes 80–150 V.

Conseils d’intégration

Lors de l’intégration du SKD503T dans vos conceptions électroniques :

• Assurez-vous de bien gérer la dissipation thermique (pâte thermique + dissipateur ou PCB à fort cuivre)

• Utilisez une commande de grille bien adaptée avec temps de montée rapide

• Prévoyez un circuit de protection contre les surtensions (TVS ou Zener)

Conclusion

Le MOSFET SKD503T s’impose comme un composant de référence pour les applications de puissance, offrant un excellent compromis entre performances électriques, vitesse de commutation, fiabilité thermique, et intégration facile.

Que vous soyez dans l’automobile, l’électronique industrielle ou les énergies renouvelables, ce composant vous permettra de concevoir des circuits robustes, efficaces et prêts à affronter les contraintes les plus sévères du terrain.