IRLZ48N MOSFET N-Channel Maroc

MOSFET N-Channel IRLZ48N

Le IRLZ48N est un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) à canal N, conçu pour offrir des performances exceptionnelles dans des applications de gestion de puissance, de conversion d’énergie et de commutation rapide. Ce composant est particulièrement apprécié pour sa capacité à gérer des courants élevés tout en maintenant une faible résistance à l’état passant (Rds(on)), ce qui réduit les pertes de puissance et améliore l’efficacité globale des systèmes électroniques.

Le IRLZ48N est fabriqué en utilisant la technologie avancée de semiconducteurs de type TrenchFET®, qui permet d’obtenir des caractéristiques électriques optimisées pour les applications de puissance. Ce MOSFET est capable de supporter une tension Drain-Source (Vds) maximale de 55V, ce qui le rend idéal pour une large gamme d’applications industrielles et de consommation.

Grâce à une résistance à l’état passant (Rds(on)) typique de seulement 0,016Ω à une tension de grille (Vgs) de 10V, ce MOSFET assure une faible dissipation thermique, même lorsqu’il est soumis à des courants élevés atteignant jusqu’à 64A. Cette faible résistance minimise les pertes d’énergie, ce qui est crucial pour les alimentations à découpage (SMPS), les convertisseurs DC-DC, et les circuits de commande de moteur où l’efficacité énergétique est primordiale.

Le IRLZ48N est encapsulé dans un boîtier TO-220AB, un format largement utilisé dans l’industrie en raison de sa capacité à dissiper efficacement la chaleur et de sa compatibilité avec les méthodes de montage standard. Ce boîtier permet également un montage facile sur des dissipateurs thermiques pour gérer les besoins en refroidissement lors d’applications à haute puissance.

Spécifications techniques :

• Type de transistor : MOSFET N-Channel
• Technologie : TrenchFET®
• Tension Drain-Source maximale (Vds) : 55V
• Courant Drain maximal (Id) : 64A (à 25°C)
• Résistance Drain-Source à l’état passant (Rds(on)) : 0,016Ω typique à Vgs = 10V
• Tension de seuil de la grille (Vgs(th)) : 1,0V – 2,0V
• Tension de la grille (Vgs) : ±20V (maximale)
• Capacité d’entrée (Ciss) : 1600pF typique
• Puissance dissipée (Pd) : 94W (à Ta = 25°C)
• Température de fonctionnement : -55°C à +175°C
• Temps de montée (tr) : 60ns typique
• Temps de descente (tf) : 45ns typique
• Charge de grille totale (Qg) : 67nC typique
• Capacité de charge (Qgd) : 12nC typique
• Capacité de sortie (Coss) : 550pF typique
• Boîtier : TO-220AB
• Conformité RoHS : Oui

Applications principales :

• Alimentations à découpage (SMPS) : En raison de sa faible Rds(on) et de sa capacité à gérer des courants élevés, le IRLZ48N est un choix parfait pour les SMPS, où l’efficacité énergétique est cruciale.
• Contrôle de moteur : Utilisé dans les contrôleurs de moteur, ce MOSFET assure une commutation rapide et efficace, minimisant les pertes et améliorant la réactivité du système.
• Convertisseurs DC-DC : Le IRLZ48N est idéal pour les applications de conversion d’énergie, où la faible dissipation de chaleur et l’efficacité sont des critères clés.
• Circuits d’inversion et de commutation : Ce MOSFET peut être utilisé dans des circuits de commutation haute fréquence grâce à ses caractéristiques de commutation rapides et à sa capacité à gérer des courants importants.
• Automobile et électronique de puissance : Grâce à sa robustesse et à ses spécifications élevées, le IRLZ48N est adapté pour des applications dans l’automobile et d’autres domaines nécessitant une gestion fiable de la puissance.

Le MOSFET IRLZ48N se distingue par sa capacité à offrir des performances élevées dans une large gamme d’applications de gestion de puissance. Son faible Rds(on), sa haute capacité de courant, et sa robustesse font de ce composant un choix privilégié pour les ingénieurs cherchant à optimiser l’efficacité énergétique et la fiabilité de leurs conceptions.