IRLZ24N MOSFET Maroc

IRLZ24N MOSFET

Le IRLZ24N est un MOSFET à canal N de la famille “Logic-Level”, spécialement conçu pour être commandé directement à partir de circuits logiques à faible tension comme les microcontrôleurs, grâce à sa faible tension de seuil de la grille (VGS(th)). Il est idéal pour les applications de commutation rapide, de gestion d’alimentation et de commande de moteurs dans les systèmes électroniques nécessitant un contrôle précis du courant avec des niveaux de tension de commande aussi bas que 5 V.

Caractéristiques principales :

• Type : MOSFET à canal N, niveau logique
• Courant de drain (ID) : 18 A, permettant de manipuler des charges élevées tout en assurant une faible dissipation d’énergie.
• Tension de drain-source (VDS) : 55 V, garantissant une protection efficace contre les surtensions.
• Résistance à l’état passant (RDS(on)) : 0.06 Ω à une VGS de 5 V, ce qui permet de minimiser les pertes de puissance et la génération de chaleur.
• Tension de seuil de la grille (VGS(th)) : 1 à 2 V, facilitant la commande avec des circuits logiques basse tension.
• Capacité de charge de grille (Qg) : 42 nC, optimisée pour des temps de commutation rapides et une efficacité énergétique améliorée.

Spécifications détaillées :

• Courant de drain continu (ID) à 25°C : 18 A
• Tension de drain-source (VDS) : 55 V
• Tension de grille-source maximale (VGS) : ±16 V
• Puissance de dissipation (Pd) : 45 W
• Résistance thermique (RθJC) : 3°C/W, garantissant une gestion thermique efficace.
• Charge de grille totale (Qg) : 42 nC, permettant une commutation rapide même à des fréquences élevées.
• Tension de seuil de la grille (VGS(th)) : 1 à 2 V
• Résistance à l’état passant (RDS(on)) : 0.06 Ω avec VGS à 5 V
• Courant de crête de drain (IDM) : 72 A en impulsion, gérant les charges transitoires élevées.
• Capacité en entrée (Ciss) : 1350 pF, jouant un rôle dans les performances de commutation rapide.
• Temps de montée (tr) : 75 ns, offrant des performances optimales dans les applications à haute fréquence.
• Temps de descente (tf) : 67 ns

Avantages :

• Commande à faible tension : Grâce à sa faible tension de seuil, le IRLZ24N peut être directement commandé par des circuits logiques, évitant ainsi l’utilisation de drivers de grille supplémentaires.
• Faible résistance à l’état passant (RDS(on)) : Réduit les pertes de conduction, améliorant ainsi l’efficacité des systèmes d’alimentation et réduisant la chaleur générée.
• Haute capacité de commutation : Sa faible charge de grille permet une commutation rapide, idéale pour des applications haute fréquence et à haute efficacité.
• Robustesse thermique et électrique : Conçu pour fonctionner dans des conditions sévères, avec une capacité de dissipation thermique améliorée, ce qui le rend fiable dans des environnements industriels exigeants.

Applications typiques :

1. Alimentations à découpage (SMPS) : Le IRLZ24N est parfait pour les convertisseurs et régulateurs de puissance où la commande à basse tension et la gestion efficace de l’énergie sont essentielles.
2. Commandes de moteurs : Utilisé dans les systèmes de contrôle de moteurs en courant continu, ce MOSFET permet une commutation rapide et une gestion de charges importantes.
3. Applications embarquées : Grâce à sa capacité à être commandé par des microcontrôleurs ou des circuits logiques basse tension, il est fréquemment employé dans les systèmes embarqués et IoT (Internet des objets).
4. Convertisseurs DC-DC : Utilisé dans les convertisseurs de tension pour améliorer l’efficacité énergétique, notamment dans les alimentations de dispositifs électroniques.
5. Systèmes d’énergie solaire : Intégré dans les systèmes de gestion d’énergie pour panneaux solaires et batteries, optimisant la conversion d’énergie.

En résumé :

Le IRLZ24N est un MOSFET à canal N niveau logique conçu pour des applications à faible tension de commande, telles que celles impliquant des microcontrôleurs ou des circuits numériques. Sa résistance à l’état passant très basse et sa capacité à manipuler des courants élevés tout en conservant une faible dissipation thermique en font un choix idéal pour les systèmes de commutation rapide et de gestion de puissance. Son boîtier TO-220 assure une bonne dissipation thermique et une facilité d’intégration dans une grande variété de circuits électroniques.