IRFZ24N MOSFET Maroc

IRFZ24N MOSFET

Le MOSFET IRFZ24N est un transistor à effet de champ (MOSFET) à canal N conçu pour des applications de gestion d’alimentation haute performance, de commutation rapide et de contrôle de puissance. Ce composant électronique est largement utilisé dans divers systèmes de commande de moteurs, alimentations à découpage, convertisseurs DC-DC, et autres circuits nécessitant une gestion efficace de l’énergie. Grâce à sa faible résistance à l’état passant (RDS(on)) et à sa capacité à supporter des courants élevés, il offre une solution idéale pour les ingénieurs cherchant à optimiser l’efficacité énergétique de leurs conceptions.

Caractéristiques principales :

• Type : MOSFET à canal N
• Courant de drain (ID) : 17 A, ce qui lui permet de gérer des charges de puissance importantes tout en minimisant les pertes de conduction.
• Tension de drain-source (VDS) : 55 V, garantissant une protection efficace contre les surtensions.
• Résistance à l’état passant (RDS(on)) : 0.06 Ω, une faible résistance permettant de minimiser la dissipation thermique et d’améliorer l’efficacité du circuit.
• Tension de seuil de la grille (VGS(th)) : 2 – 4 V, facilitant la commande du MOSFET avec des signaux de commande de faible amplitude.
• Capacité de charge de grille (Qg) : 67 nC, assurant une commutation rapide et une meilleure efficacité énergétique dans des applications haute fréquence.
• Plage de température de fonctionnement : -55°C à 175°C, permettant une utilisation dans des environnements extrêmes sans compromettre les performances.

Spécifications détaillées :

• Courant de drain continu (ID) à 25°C : 17 A
• Tension de drain-source (VDS) : 55 V
• Tension de grille-source maximale (VGS) : ±20 V
• Puissance de dissipation (Pd) : 50 W
• Résistance thermique (RθJC) : 3°C/W, garantissant une bonne dissipation thermique et une meilleure gestion de la température.
• Fréquence de commutation rapide : Idéal pour les applications nécessitant des temps de commutation courts grâce à ses caractéristiques de faible charge de grille.
• Charge de grille totale (Qg) : 67 nC, favorisant une commutation rapide.
• Tension de seuil de la grille (VGS(th)) : 2 à 4 V
• Résistance à l’état passant (RDS(on)) : 0.06 Ω à une VGS de 10 V
• Courant de crête de drain (IDM) : jusqu’à 68 A en impulsion, permettant une gestion des courants de pointe élevés dans des cycles de travail courts.
• Capacité en entrée (Ciss) : 890 pF, influençant la réponse dynamique du MOSFET.
• Temps de montée (tr) : 60 ns, ce qui en fait un composant idéal pour des applications de commutation rapide.
• Temps de descente (tf) : 45 ns

Applications typiques :

1. Alimentations à découpage (SMPS) : Le faible RDS(on) réduit les pertes de puissance, améliorant ainsi l’efficacité des circuits de conversion d’énergie.
2. Commande de moteurs : Permet de gérer des courants élevés avec une commutation rapide, idéale pour les systèmes de contrôle de moteurs en courant continu.
3. Convertisseurs DC-DC : Grâce à sa faible résistance à l’état passant et ses capacités de commutation rapide, il est largement utilisé dans les convertisseurs de tension à haute efficacité.
4. Applications de commande et commutation : Utilisé dans des relais statiques, des variateurs de fréquence, et des systèmes de commande d’alimentation.
5. Systèmes d’énergie renouvelable : Il peut être utilisé dans des circuits de conversion et de gestion d’énergie pour les systèmes photovoltaïques et éoliens.

Avantages du IRFZ24N :

• Faible dissipation de chaleur : Grâce à la faible résistance à l’état passant, il minimise la génération de chaleur, permettant d’améliorer la durée de vie des composants environnants.
• Haute capacité de commutation : Permet de répondre aux exigences des systèmes à haute fréquence.
• Fiabilité dans les environnements sévères : Le MOSFET peut fonctionner efficacement dans des conditions extrêmes de température, garantissant ainsi une longue durée de vie même dans les applications industrielles exigeantes.

Ce MOSFET est encapsulé dans un boîtier TO-220, un format largement utilisé pour les composants de puissance, facilitant ainsi son intégration dans une large gamme de circuits électroniques et assurant une dissipation thermique efficace grâce à son large contact métallique.