IRFB4410 – MOSFET de puissance N-Channel 100 V
Un transistor MOSFET performant pour la commutation de charges puissantes, les alimentations à découpage, les convertisseurs et les commandes de moteurs.
Le IRFB4410 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications nécessitant une forte capacité de commutation, une faible résistance électrique et une excellente efficacité énergétique.
Il supporte une tension Drain-Source maximale de 100 V et peut gérer un courant important lorsque les conditions de refroidissement et de commande de grille recommandées sont respectées. Sa faible résistance à l’état passant contribue à réduire les pertes de puissance et l’échauffement du composant.
Grâce à son boîtier traversant TO-220, le IRFB4410 peut facilement être installé sur un circuit imprimé et associé à un dissipateur thermique. Il convient aux réparations électroniques, aux montages de puissance, aux prototypes et aux équipements industriels.
Caractéristiques principales
| Référence | IRFB4410 |
| Type de composant | MOSFET de puissance |
| Polarité | Canal N – N-Channel |
| Tension Drain-Source | 100 V maximum |
| Courant Drain continu | Jusqu’à environ 96 A selon les conditions thermiques |
| RDS(on) | Environ 10 mΩ maximum à VGS = 10 V |
| Tension Gate-Source | ±20 V maximum |
| Température de jonction | Jusqu’à +175 °C |
| Boîtier | TO-220AB traversant |
Une faible résistance pour une meilleure efficacité
La faible valeur de RDS(on) permet au IRFB4410 de limiter les pertes par conduction lorsque le transistor est correctement activé. Cette caractéristique améliore le rendement énergétique du circuit et réduit la quantité de chaleur à évacuer.
Pour obtenir les meilleures performances, la grille doit être commandée avec une tension adaptée. Ce composant n’est pas un MOSFET Logic Level destiné à être directement piloté dans toutes les situations par une sortie 3,3 V ou 5 V. Un driver de grille approprié est recommandé pour les applications de puissance et les commutations rapides.
Applications recommandées
Convertisseurs DC-DC
Commandes de moteurs DC
Onduleurs et UPS
Chargeurs de batteries
Amplificateurs de puissance
Variateurs électroniques
Réparation électronique
Brochage du IRFB4410
Lorsque le composant est placé face à vous, avec le marquage visible et les broches dirigées vers le bas, le brochage est généralement le suivant :
Gate – G
Drain – D
Source – S
La languette métallique du boîtier est également reliée au Drain.
Conseils d’installation
- Utiliser un dissipateur thermique adapté lorsque le courant ou la puissance dissipée est important.
- Placer un isolant thermique si plusieurs composants partagent un dissipateur conducteur.
- Prévoir une résistance de grille afin de limiter les oscillations pendant la commutation.
- Installer une résistance entre Gate et Source pour garantir l’arrêt du MOSFET lorsque la commande est flottante.
- Utiliser une diode de roue libre avec les charges inductives comme les moteurs, relais et électroaimants.
- Ne pas dépasser les limites de tension, de courant, de température et de puissance indiquées par le fabricant.
le courant maximal annoncé correspond à des conditions de laboratoire avec une température de boîtier contrôlée. Le courant réellement utilisable dépend du dissipateur, de la ventilation, du circuit imprimé, de la fréquence de commutation et de la température ambiante.
Pourquoi choisir le IRFB4410 ?
Le IRFB4410 constitue une solution fiable pour concevoir ou réparer des circuits de puissance jusqu’à 100 V. Son courant admissible élevé, sa faible résistance à l’état passant et son boîtier TO-220 en font un composant polyvalent pour les professionnels, techniciens, réparateurs et passionnés d’électronique.
Produit destiné aux personnes possédant les connaissances nécessaires en électronique. Vérifiez toujours la référence inscrite sur le composant, le brochage et la fiche technique avant installation.
TOP262EN Maroc 




There are no reviews yet.