Caractéristiques techniques
| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 30 A |
| Tension Drain Source maximum | 60 V |
| Résistance Drain Source maximum | 40 mΩ |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Tension Grille Source maximum | -25 V, +25 V |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broche | 3 |
| Configuration du transistor | Simple |
| Mode canal | Enrichissement |
| Catégorie | MOSFET de puissance |
| Dissipation de puissance maximum | 79 W |
| Série | QFET |
| Largeur | 4.7mm |
| Capacitance d’entrée typique @ Vds | 725 pF @ 25 V |
| Retard à la conduction typique | 10 ns |
| Hauteur | 9.4mm |
| Dimensions | 10.1 x 4.7 x 9.4mm |
| Température d’utilisation maximum | +175 °C |
| Matériau du transistor | Si |
| Charge de Grille type @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Retard au blocage typique | 35 ns |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Nombre d’éléments par circuit | 1 |
| Longueur | 10.1mm |
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