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FQP30N06 Transistors MOSFET Maroc

Availability:

19 en stock

12,00 DH

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Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	30 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Résistance Drain Source maximum	40 mΩ
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Tension Grille Source maximum	-25 V, +25 V
Type de boîtier	TO-220AB
Type de montage	Traversant
Nombre de broche	3
Configuration du transistor	Simple
Mode canal	Enrichissement
Catégorie	MOSFET de puissance
Dissipation de puissance maximum	79 W
Série	QFET
Largeur	4.7mm
Capacitance d’entrée typique @ Vds	725 pF @ 25 V
Retard à la conduction typique	10 ns
Hauteur	9.4mm
Dimensions	10.1 x 4.7 x 9.4mm
Température d’utilisation maximum	+175 °C
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	19 nC @ 10 V
Retard au blocage typique	35 ns
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Nombre d’éléments par circuit	1
Longueur	10.1mm

Catégorie : Transistors

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