FQP27P06 MOSFET TO-220
Ce MOSFET de puissance utilise un canal P en mode d’amélioration et est fabriqué en utilisant la technologie exclusive bande planaire DMOS d’ON Semiconductor. Cette technologie avancée a été spécialement conçue pour réduire la résistance en mode passant et offrir des performances de commutation supérieures ainsi qu’une résistance élevée à l’énergie d’avalanche. Ces dispositifs sont adaptés pour les alimentations à découpage, les amplificateurs audio, les commandes de moteur à courant continu et les applications de puissance de commutation variable.

HT12D HT-12D Maroc
FP15R06KL4 – Module IGBT 600V, 15A Maroc
filetage femelle G 1/2 pouces, Pour tuyau flexible 12 mm acier inoxydable SS 304 



There are no reviews yet.