FQP27P06 MOSFET TO-220
Ce MOSFET de puissance utilise un canal P en mode d’amélioration et est fabriqué en utilisant la technologie exclusive bande planaire DMOS d’ON Semiconductor. Cette technologie avancée a été spécialement conçue pour réduire la résistance en mode passant et offrir des performances de commutation supérieures ainsi qu’une résistance élevée à l’énergie d’avalanche. Ces dispositifs sont adaptés pour les alimentations à découpage, les amplificateurs audio, les commandes de moteur à courant continu et les applications de puissance de commutation variable.

Bornier à Vis pour Circuit Imprimé PCB 2 broches 5,08 mm à angle droit Maroc
TC-100 Jauge d'Épaisseur FE/NFE Maroc
CONNECTEUR INDUSTRIEL KF141R-2 Position 4 borne Maroc
TOP261EN Maroc
TRANSISTOR C945 BIPOLAIRE TO-92 2SC945 Maroc
Circuit intégré THX203H DIP8 THX203H-7V Maroc
FQPF8N60C MOSFET Maroc 



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