FQP27P06 MOSFET TO-220
Ce MOSFET de puissance utilise un canal P en mode d’amélioration et est fabriqué en utilisant la technologie exclusive bande planaire DMOS d’ON Semiconductor. Cette technologie avancée a été spécialement conçue pour réduire la résistance en mode passant et offrir des performances de commutation supérieures ainsi qu’une résistance élevée à l’énergie d’avalanche. Ces dispositifs sont adaptés pour les alimentations à découpage, les amplificateurs audio, les commandes de moteur à courant continu et les applications de puissance de commutation variable.

DP-385 Pompe de dosage péristaltique pour laboratoire Maroc
Set de 10 Clés Allen (2 à 10 mm) – Robustesse et Précision Maroc
Interface Bluetooth ELM327 v1.5 OBD2 OBDII OBD-2
HT12D HT-12D Maroc
PORTE-CLÉS RFID BADGE 125 KHZ Maroc
Transistor 2N3055 TO-3 Maroc 



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