FP50R06W2E3 IGBT Module Maroc

FP50R06W2E3 IGBT Module

Le produit est un module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de la catégorie des modules IGBT. Il s’agit de modules en silicone IGBT configurés en mode inverseur (IGBT-Inverter). Voici les spécifications du produit :

• Tension collecteur-émetteur maximale (VCEO) : 600 V
• Tension de saturation collecteur-émetteur : 1,45 V
• Courant collecteur continu à 25 °C : 65 A
• Courant de fuite grille-émetteur : 400 nA
• Dissipation de puissance (Pd) : 175 W
• Température de fonctionnement minimale : -40 °C
• Température de fonctionnement maximale : +150 °C
• Marque : Infineon Technologies
• Style de montage : SMD/SMT
• Code CNHTS : 8541290000
• Code HTS : 8541290095
• Tension maximale grille-émetteur : +/- 20 V
• Code MXHTS : 85412999
• Type de produit : Modules IGBT
• Sous-catégorie : IGBTs
• Code TARIC : 8541290000
• Alias de numéro de pièce : FP50R06W2E3BOMA1 SP000375909
• Poids unitaire : 0,039 kg

Ce produit est conçu pour des applications nécessitant une commutation de puissance à haute efficacité et une gestion thermique appropriée.