FGH60N60UFD Transistor IGBT Maroc

FGH60N60UFD Transistor IGBT Maroc

Le FGH60N60UFD est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) conçu pour des applications à haute puissance et haute fréquence. Voici un aperçu de ses principales caractéristiques et spécifications :

Spécifications principales :

• Tension Collecteur-Émetteur (Vces) : 600V
• Courant de Collecteur (Ic) : 60A (à 25°C)
• Courant de Collecteur Pulsé (Icm) : 120A
• Tension de Saturation du Collecteur-Émetteur (Vce(sat)) : 2,1V (typique, à Ic = 60A)
• Temps de Commutation (trr) : 55ns (typique)
• Dissipation de Puissance (Pd) : 275W (à 25°C)
• Température de Jonction Maximale (Tjmax) : 150°C
• Boîtier : TO-247

Caractéristiques principales :

• Haute Tension et Courant : Le FGH60N60UFD est capable de gérer des tensions élevées jusqu’à 600V et des courants de 60A, ce qui en fait un composant idéal pour les applications de puissance élevée.
• Faible Tension de Saturation (Vce(sat)) : Cela permet de minimiser les pertes de conduction, améliorant ainsi l’efficacité globale du système.
• Temps de Commutation Rapide : Avec un temps de recouvrement inverse rapide, il est bien adapté aux applications nécessitant une commutation à haute fréquence.
• Diode Rapide Intégrée : La présence d’une diode rapide (Fast Recovery Diode, ou FRD) permet une récupération rapide lors de la commutation, ce qui réduit les pertes de puissance et améliore l’efficacité dans les applications de commutation rapide.

Applications :

• Convertisseurs de Puissance
• Onduleurs
• Alimentations à Découpage
• Contrôle de Moteurs
• Systèmes de Chauffage à Induction

L’IGBT FGH60N60UFD est souvent utilisé dans des environnements industriels où des niveaux élevés de puissance et de tension sont requis, combinant les avantages de la commande de grille MOSFET avec les capacités de haute puissance des transistors bipolaires.