BD139 de STMicroelectronics est un transistor NPN basse tension complémentaire traversant dans un boîtier TO-126 (SOT-32). Ce dispositif fabriqué en technologie planaire épitaxiale Utilisé pour les amplificateurs et les Drivers audio, en utilisant des circuits complémentaires ou Quasi complémentaires.
- Tension Collecteur-Emetteur (VCE) de 80V
- Courant de collecteur (Ic) de 1.5A
- Dissipation de puissance (Pd) de 12.5W
- Collecteur vers tension de saturation d’émetteur de 500mV à courant de collecteur 0,5A
- Gain en courant DC (hFE) de 25 avec un courant de collecteur de 0.5A
- Gamme de température de jonction de 150°C
Applications
Gestion d’alimentation, Electronique Grand Public, Périphériques Portables, Industrie
IR2110 Driver mosfet /IGBT Maroc
IRLZ44N Transistor MosFet TO220 Maroc
IRFB4227 Transistor MOSFET– 200V 65A Maroc
IRFP260N Transistor Mosfet Maroc
TIP122 transistor Darlington NPN Maroc
IRF840 Transistor MOSFET Maroc 



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